一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；重复上述工序制作出TSV针肋微流道上盖板；将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。
基本信息
专利标题 ：
一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446907A
申请号 ：
CN202111583684.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周超杰夏晨辉王刚明雪飞李奇哲
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111583684.9
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473 H01L21/48 H01L21/56 H01L23/367 H01L23/48 H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/473
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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