一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。
基本信息
专利标题 ：
一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429938A
申请号 ：
CN202111583695.7
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周超杰夏晨辉王刚明雪飞王成迁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111583695.7
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473 H01L23/48 H01L25/065 H01L21/56 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/473
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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