一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。
基本信息
专利标题 ：
一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318490A
申请号 ：
CN202111584911.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑辉陈伟郑梁郑鹏张阳
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111584911.X
主分类号 ：
C30B1/10
IPC分类号 ：
C30B1/10 C30B29/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
C30B1/10
固相反应法或多相扩散法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 1/10
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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