一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质,该方法包括:采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果,将读取结果之间进行同或得到初始译码结果,根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值,根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值,根据修正LLR值对TLC NAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值,无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值,以完成TLC NAND闪存正确译码,实现上简单,提高了效率和用户使用体验。
基本信息
专利标题 :
一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114283866A
申请号 :
CN202111592435.6
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王颀于晓磊李前辉杨柳何菁王先良张博霍宗亮叶甜春
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
柳虹
优先权 :
CN202111592435.6
主分类号 :
G11C16/04
IPC分类号 :
G11C16/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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