一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法
公开
摘要
本发明公开了一种提高MLCNAND闪存寿命和正确译码率的方法，包括识别闪存块中的高误比特率的特征、在FTL中对每个闪存块的误码特征进行记录、根据步骤二记录的误码特征，在FTL中将闪存块的页地址交织在一起、解码失败时，利用ReadRetry的数据，对码字置信度进行修正四个步骤；本发明的交织结构将码字存储在两个闪存块上，对其中的误码率进行了平均，从而降低了较高误比特率的闪存的误码率，进而延长了闪存芯片的使用寿命；利用ReadRetry数据在数据偏移修正的基础上再次调整置信度，进一步提高解码成功率，进而提高译码正确率同时还可以提高闪存的读取速度。
基本信息
专利标题 ：
一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114564417A
申请号 ：
CN202210175687.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周浩
申请人 ：
上海孤波科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄1号617室
代理机构 ：
上海汇齐专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱明福
优先权 ：
CN202210175687.7
主分类号 ：
G06F12/02
IPC分类号 ：
G06F12/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
