一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺
实质审查的生效
摘要

一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺,芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层,通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构;高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构;低阻硅器件层包括第二中心刚体,第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容,第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体,另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极;玻璃器件层包括玻璃基底,以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构;制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片;本发明实现六轴力或力矩的解耦输出,具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。

基本信息
专利标题 :
一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114323396A
申请号 :
CN202111595513.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵立波谭仁杰韩香广高文迪李敏陈瑶董林玺杨萍王小章王久洪蒋庄德
申请人 :
西安交通大学;杭州电子科技大学
申请人地址 :
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 :
西安智大知识产权代理事务所
代理人 :
贺建斌
优先权 :
CN202111595513.8
主分类号 :
G01L5/165
IPC分类号 :
G01L5/165  B81B7/02  B81C1/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L5/165
利用电容的改变
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 5/165
申请日 : 20211223
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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