micro-LED原位驱动单元制作方法及micro-LE...
公开
摘要
本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。
基本信息
专利标题 ：
micro-LED原位驱动单元制作方法及micro-LED器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300501A
申请号 ：
CN202111597150.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘安练李晟曼王一喆
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
邓云鹏
优先权 ：
CN202111597150.1
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 G09G3/32
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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