基于TSV的三维集成低噪声放大器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于TSV的三维集成低噪声放大器，包括两个TSV NMOS管MOS1、MOS2，三个TSV电感L1、TSV电感L2、TSV电感L3，三个TSV电容C1、TSV电容C2、TSV电容C3、一个电阻R1、电源VDD、地信号GND。本发明提高了LNA的集成度，降低LNA的延迟以及功耗。
基本信息
专利标题 ：
基于TSV的三维集成低噪声放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114513170A
申请号 ：
CN202111601120.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王凤娟任嘉硕余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202111601120.3
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26 H03F3/195 H01L27/06
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/26
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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