一种晶圆表面损伤深度测量方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种晶圆表面损伤深度测量方法及系统；该方法包括：将待测晶圆置于氮气氛围下进行热处理；将完成热处理的待测晶圆进行裂解获并按照设定的选取策略选择待测样品；将所述待测样品进行角度抛光后在抛光的斜截面进行刻蚀；根据经过刻蚀后的斜截面形貌测量所述晶圆样品表面损伤深度。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆表面损伤深度测量方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267589A
申请号 ：
CN202111619776.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张婉婉韩聪
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈寒酉
优先权 ：
CN202111619776.8
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/324
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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