一种晶圆表面损伤层深度测量方法及系统
授权
摘要
本发明实施例公开了一种晶圆表面损伤层深度测量方法及系统；该方法可以包括：在待测晶圆表面所选的测量点处进行减薄加工，形成所述测量点对应的凹面测量区域；通过择优腐蚀的方式对形成有凹面测量区域的待测晶圆进行刻蚀，以显现所述凹面测量区域中损伤层的缺陷；基于所述刻蚀完成后的凹面测量区域的几何参数以及所述刻蚀完成后的凹面测量区域中无损伤层的几何参数计算获得所述凹面测量区域中的损伤层深度；根据所有测量点对应的凹面测量区域中的损伤层深度获取所述待测晶圆的损伤层深度。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆表面损伤层深度测量方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112355882A
申请号 ：
CN202011237065.X
公开（公告）日 ：
2021-02-12
申请日 ：
2020-11-09
授权号 ：
CN112355882B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
徐鹏
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈寒酉
优先权 ：
CN202011237065.X
主分类号 ：
B24B37/005
IPC分类号 ：
B24B37/005
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/005
研磨机床或装置的控制装置
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/005
申请日 : 20201109
申请日 : 20201109
2021-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
