一种低转向差的芯片光泵磁强计的光路及设计方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低转向差的芯片光泵磁强计的光路及设计方法，所述光路为：激光器VCSEL输出线偏振光；所述线偏振光经过λ/4波片后形成左/右旋圆偏振光；所述左/右旋圆偏振光通过第一MEMS原子气室；然后再经过λ/2波片后形成右/左旋圆偏振光；所述右/左旋圆偏振光通过第二MEMS原子气室；当第一MEMS原子气室和第二MEMS原子气室外部的射频线圈中的射频信号频率与第一MEMS原子气室和第二MEMS原子气室内的工作原子在待测磁场中的拉莫尔进动频率相等时，则发生磁共振，即可得待测磁场的磁共振信号；本发明能够适用于芯片级光泵磁强计，使得一束激光通过MEMS原子气室，能够减小芯片光泵磁强计的体积，并抑制芯片光泵磁强计的转向差。
基本信息
专利标题 ：
一种低转向差的芯片光泵磁强计的光路及设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460507A
申请号 ：
CN202111621939.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张樊谢胤罗方雪王羚
申请人 ：
宜昌测试技术研究所
申请人地址 ：
湖北省宜昌市西陵区胜利三路58号
代理机构 ：
北京理工大学专利中心
代理人 ：
梁倩
优先权 ：
CN202111621939.6
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032 G02B27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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