一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，本发明通过在n型层和多量子阱层之间生长应力调控层和电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层V形坑平台和侧壁电导率不同，调控电子在V形坑附近的输运途径。本发明通过调整V形坑平台和侧壁的厚度或掺杂浓度来调控其电导率，不引入新的制造工序，不增加LED的制造成本且不影响制造的合格率来调控载流子在有源区的输运途径，从而提高GaN基LED的发光效率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388664A
申请号 ：
CN202111628138.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王小兰吴海锋张建立高江东潘拴郑畅达莫春兰
申请人 ：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202111628138.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/20 H01L33/12 H01L33/24
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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