一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种石墨导热片及其制备方法、及半导体散热装置。所述制备方法包括如下步骤：(1)对石墨片材进行阵列打孔，得到具有阵列孔排布的石墨片材；(2)对步骤(1)得到的具有阵列孔排布的石墨片材进行等离子体处理后，使用含乙烯基的硅烷偶联剂对其进行化学接枝，得到表面包覆有偶联剂层的石墨片材；(3)通过化学气相沉积法在步骤(2)得到的表面包覆偶联剂层的石墨片材的外表面包覆高分子层，得到所述石墨导热片。本发明提供的石墨导热片具有较好的散热效果、较好的均热性和较好的结构稳定性，适合电子产品内半导体芯片的导热散热。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334860A
申请号 ：
CN202111628718.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴攀任泽明王号计俞伟廖骁飞徐丹
申请人 ：
广东思泉新材料股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市企石镇江边村金磊工业园A栋1-2楼
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王艳斋
优先权 ：
CN202111628718.1
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 C01B32/21
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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