一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺
公开
摘要
本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺，具体包括以下步骤：S1、将完成前段正面制程，正面键合在玻璃载板，背面减薄后完成SiC基板背面离子植入及金属制程；S2、在基板背面上方倒扣载盘，整体翻转后旋转涂布SOG形成封堵层，解键合移除玻璃载板；S3、完成高温回火，取出后正面进行LID开窗及接触孔的填充；S4、涂布聚酰亚胺，通过曝光、显影、蚀刻聚酰亚胺后镀膜金属PAD；S5、完成晶圆切割后除去晶圆外圈的聚酰亚胺；S6、将晶圆贴附在切割模框，翻转后移除载盘，完成晶圆切割。本发明采用载盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅基板高温制程中的温度对玻璃载板的限制，可以安全有效的进行碳化硅基板的高温回火。
基本信息
专利标题 ：
一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300344A
申请号 ：
CN202111640258.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严立巍符德荣陈政勋
申请人 ：
绍兴同芯成集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区银桥路326号(原永和酒业)1幢1楼113室
代理机构 ：
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵丹
优先权 ：
CN202111640258.4
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L21/683 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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