一种减少SiO2表面颗粒的通气管路...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。本发明的有益效果是使得LPCVD制备出的SiO2膜厚在范围内且膜表面的颗粒(粒径>0.3um)小于300颗。
基本信息
专利标题 ：
一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481091A
申请号 ：
CN202111642178.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵晓丽郉锡祥张馨予戴明磊杜宏强王维刘晓芳王正芳
申请人 ：
天津环鑫科技发展有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202111642178.2
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/44 C23C16/448 C23C16/455 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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