一种新型的共溅双平面磁控靶
公开
摘要
本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，具体公开了一种新型的共溅双平面磁控靶，包括呈“A”字形排布的左侧平面靶、右侧平面靶，左侧平面靶、右侧平面靶左右对称倾斜设置在基片的上方，左侧平面靶、右侧平面靶上分别安装有两个不同的靶材；所述左侧平面靶、右侧平面靶安装在阴极盖板上，屏蔽罩的内侧安装有阳极罩，阳极罩的内部安装有靶材，靶材压条的一侧安装有水槽板，水槽板与冷却水管连接；所述水槽板的前侧安装有磁钢座，磁钢座与水槽板之间安装有磁体，磁钢座的外侧安装有靶座。该共溅双平面磁控靶的两平面靶中心线交汇点与与基片上表面重合，从而使两平面靶共同溅射到基片同一区域上，在基片上沉积所需组分的混合物化合物薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种新型的共溅双平面磁控靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114369803A
申请号 ：
CN202111644234.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张俊峰赵子东王栋权魏庆瑄
申请人 ：
上海子创镀膜技术有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区金山工业区金飞路808号
代理机构 ：
上海尊肃专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李珍珍
优先权 ：
CN202111644234.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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