一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法，涉及存储技术领域。所述的存储主控架构用于适配不同类型和页容量的闪存颗粒，包括高速存储主控接口模块、可调整缓存及控制模块、写数据通道处理模块、读数据通道处理模块、闪存接口模块和固件控制模块。本申请通过引入可调整的多个不同类型的缓存区间设计，可通过固件程序(Firmware)自适应配置数据处理所需的页容量(Page size)从1K、2K，到4K、8K，以及多通道处理架构设计，一方面可以使得本存储主控设计可广泛使用多家不同类闪存颗粒产品，另一方面，本申请通过对写操作(WP)与读操作(RP)多数据通道并行处理机制，可以极大地提高存储主控架构的读写性能。
基本信息
专利标题 ：
一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114328284A
申请号 ：
CN202111652367.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘世军
申请人 ：
武汉喻芯半导体有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号神州数码武汉科技园1栋2F-201-10室
代理机构 ：
苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱平
优先权 ：
CN202111652367.8
主分类号 ：
G06F12/02
IPC分类号 ：
G06F12/02 G06F12/0882 G06F11/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 12/02
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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