一种CMOS接触位移传感器及测量方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种CMOS接触位移传感器，属于位移传感器件，包括处理器模块、CMOS图像传感模块、恒流控制模块、输入输出模块、以及为以上各模块供电的电源模块，所述CMOS图像传感模块与所述恒流控制模块电性连接，所述恒流控制模块、所述输入输出模块分别与所述处理器模块电性连接，所述CMOS图像传感模块包括感光单元、用于将所感测的光处理为电信号数据的CMOS逻辑电路和透镜，所述感光单元包括像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑和AD转换器，所述透镜由改性聚甲基丙烯酸甲酯制备得到，所述透镜上设置有增透膜；本发明通过提高透镜折射率进一步提高CMOS接触位移传感器的测量准确度。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS接触位移传感器及测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114383514A
申请号 ：
CN202111670500.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卿定求
申请人 ：
广州市合熠智能科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区瑞和路73号生产基地A3第二层
代理机构 ：
北京高航知识产权代理有限公司
代理人 ：
乔浩刚
优先权 ：
CN202111670500.2
主分类号 ：
G01B11/02
IPC分类号 ：
G01B11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B11/00
以采用光学方法为特征的计量设备
G01B11/02
用于计量长度、宽度或厚度
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01B 11/02
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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