半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，将待清洗部件放置于清洗容器中：加入比例为20％～30％的强碱，再加入比例为70％～80％的90～100℃的热水，溶液覆盖部件即可，热水与强碱形成高温碱液并与零部件表面第一层附作物反应，能有效将表面双层附着物与零部件脱离，浸泡10min～30min，使其充分反应至表面附着物完全去除，后用弱酸液浸泡3～5s，再用纯水清洗烘干。本发明的清洗方法，能有效快速去除部件表面的双层附着物，不损伤部件基材，提高部件的清洗效率，增加部件的使用寿命及使用效果，且方法简单，易于实施。
基本信息
专利标题 ：
半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351154A
申请号 ：
CN202111675165.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王阳阳许义杰杨科陶近翁陶岳雨
申请人 ：
卡贝尼新材料科技(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区新元南路600号3幢201室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
祁春倪
优先权 ：
CN202111675165.5
主分类号 ：
C23G1/20
IPC分类号 ：
C23G1/20 C23G1/19 C23G1/10 C23G1/08 C23F1/36 C23F1/38 C23F1/44 B08B3/04 B08B3/08 B08B3/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23G
电解法除外的化学法金属材料清洗及除油
C23G1/00
用溶液或熔融盐清洗或酸洗金属材料
C23G1/14
用碱溶液
C23G1/20
其他重金属
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23G 1/20
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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