一种及时清除硅晶片喷砂制程后表面附着物的装置
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摘要
本实用新型提供一种及时清除硅晶片喷砂制程后表面附着物的装置,它解决了硅晶片经过喷砂去疵制程后表面存在大量制程浆料,影响后段制程产品良率,清洗效率低等技术问题。本装置包括一固定底座,用以固定一吸附清洁层及一压紧装置,吸附清洁层用来放置需吸附清洁的产品,压紧装置上有两弹簧及一中心为不锈钢的转动轴。弹簧带动滚动轴压在传动皮带上,通过喷砂机皮带的带动,无需额外的传动装置和喷水装置。通过弹簧压力的调节跟随转动,在经过硅晶片时会通过反复的吸水,挤水,自动将喷砂处理后附着于硅晶片表面的砂浆去除。本实用新型具有高效及时清洁的优点。
基本信息
专利标题 :
一种及时清除硅晶片喷砂制程后表面附着物的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021038023.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-01
授权号 :
CN212907651U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
李汉生蔡雪良何庆波王帅
申请人 :
昆山中辰矽晶有限公司
申请人地址 :
江苏省昆山市城北汉浦路303号中辰矽晶
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021038023.9
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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