一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质
实质审查的生效
摘要

本申请的实施例公开了一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质,涉及芯片设计技术领域,为便于提高芯片的设计效率而发明。所述方法,包括:确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长,并确定裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长;其中,第一尺寸为宽度,第二尺寸为高度;根据工艺参数和晶圆尺寸,确定第一尺寸在第一变化范围内、以第一变化步长变化得到的每个数值下,第二尺寸在第二变化范围内、以第二变化步长变化得到的各个数值对应的晶圆内布置的裂片数量;根据第一尺寸的每个数值、第二尺寸的各个数值与裂片数量的对应关系,对裂片在晶圆上的布局提供参考。本申请适用于对芯片设计提供参考。

基本信息
专利标题 :
一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114357927A
申请号 :
CN202111675386.2
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
何妍晋大师王毓千
申请人 :
成都海光集成电路设计有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区和乐二街171号3栋
代理机构 :
北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人 :
张仲波
优先权 :
CN202111675386.2
主分类号 :
G06F30/392
IPC分类号 :
G06F30/392  G06F115/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/392
平面规划或布局,例如,分区或放置
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/392
申请日 : 20211231
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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