一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明提出了一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法,包括以下步骤:步骤a:设计好构成双胶合微透镜的单个微透镜的尺寸,将每个所述单个微透镜分解为2个透镜,每个所述透镜的一面均为平面;步骤b:将分解后的每个透镜分别形成为微透镜阵列组,并在每个所述微透镜阵列组旁边形成一组或两组对准标记,并制作相应的灰度图;步骤c:根据所述灰度图基于UV激光直写光刻技术制作微透镜阵列组和相应的对准标记;以及步骤d:通过步骤c中制作好的所述对准标记将制作好的所述微透镜阵列组进行对准,并组成双胶合微阵列透镜。本发明方法的技术原理简单可行。另外,本发明方法对微阵列透镜进行拼接胶合,可有效减小透镜像的像差及色差。

基本信息
专利标题 :
一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280706A
申请号 :
CN202111681529.0
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
栾世奕桂成群宋毅薛兆丰
申请人 :
矽万(上海)半导体科技有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区富特东一路396号1幢5层512室
代理机构 :
上海远同律师事务所
代理人 :
丁利华
优先权 :
CN202111681529.0
主分类号 :
G02B3/00
IPC分类号 :
G02B3/00  G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B3/00
简单或复合透镜
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 3/00
申请日 : 20211229
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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