一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉
授权
摘要
本公开提供一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，所述测量熔硅液面位置的定位销包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。本公开提供的测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，可提高Melt Gap测量的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120221631.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN216473570U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨文武沈福哲金珍根
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN202120221631.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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