perc电池背面氮化硅多层膜的制备装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备装置，涉及perc电池制备技术领域，其结构包括用于输送待加工硅片的输送系统和用于在电池背部形成多层膜的制膜系统，制膜系统布置有进口和出口，输送系统布置在制膜系统的进口和出口位置处；输送系统包括框体、转动连接框体内壁的输送辊和驱动输送辊转动的驱动设备；二个平行设置的滑杆的二端固定连接框体的内壁，二个平行设置的隔挡件滑动连接滑杆，且隔挡件与输送辊之间垂直设置，相比于现有技术，本实用新型中的多层膜制备装置无需工作人员手动对硅片进行取放，减轻工作人员的负担。
基本信息
专利标题 ：
perc电池背面氮化硅多层膜的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121651895.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-20
授权号 ：
CN216274365U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
何飞蔡鹏李亚楠
申请人 ：
江苏宏润光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市泗洪县经济开发区杭州路北侧人民路东侧
代理机构 ：
南京新慧恒诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋玮
优先权 ：
CN202121651895.7
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/34 C23C16/54 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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