一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构
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摘要
本实用新型涉及一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型外延层及设置在其内部的沟槽，沟槽上部分包括栅极多晶硅以及栅氧化层，下部分包括屏蔽栅多晶硅及厚氧化层，在栅极多晶硅和屏蔽栅多晶硅间设有第一浮空多晶硅，第一浮空多晶硅通过氧化层分别与栅极多晶硅、屏蔽栅多晶硅间隔离，和/或在栅极多晶硅和源极金属间设有第二浮空多晶硅，第二浮空多晶硅通过氧化层与栅极多晶硅隔离，通过绝缘介质层与源极金属隔离，源极金属与屏蔽栅多晶硅欧姆接触；本实用新型通过在栅极和源极间设置浮空多晶硅，能屏蔽栅极与源极之间的寄生电容Cgs，降低输入电容Ciss，进而降低开关损耗，同时改善IGSS漏电过大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122114420.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
CN216597597U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
刘秀梅刘锋殷允超周祥瑞费国芬
申请人 ：
捷捷微电（无锡）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
代理机构 ：
无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
顾翰林
优先权 ：
CN202122114420.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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