能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多晶硅与屏蔽栅。本实用新型通过在屏蔽栅两侧设置阶梯形氧化层和沟槽底层注入第二导电类型体区，可降低电场峰值分布，进而提高器件耐压；与传统屏蔽栅器件结构相比，本实用新型的器件具有更低的导通电阻、更低的输入和输出寄生电容值、更低的反向恢复电流峰值和恢复软度特性；本实用新型的器件可减小芯片面积，降低芯片成本。
基本信息
专利标题 ：
能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921905915.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210379058U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
吴宗宪陈彦豪
申请人 ：
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921905915.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
