一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构，改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构包括芯片，在芯片的表面敷设有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片的电极位置和输入输出端口位置设置有第一导孔，在第一绝缘层上敷设有金属层，金属层上设置有贯通第一导孔的金属层导孔，在金属层上敷设有第二绝缘层，第二绝缘层上设置有贯通金属层导孔的第二导孔。本实用新型在芯片外部表面设置叠置的第一绝缘层、金属层和第二绝缘层，金属层连接外部地线或固定电位从而实现散热和屏蔽效果，大幅度提高芯片的散热效率并可以屏蔽所有杂讯干扰，大大降低了导热及屏蔽的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种改善芯片散热和屏蔽噪声的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122666952.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
CN216311766U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
颜学庆朱昆姚飞钱锋廖运华谢杰志郑香奕李维龙涂波
申请人 ：
深圳市洁简达创新科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村富安娜公司B栋601
代理机构 ：
广东合方知识产权代理有限公司
代理人 ：
许建成
优先权 ：
CN202122666952.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/552 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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