一种低噪声量子芯片电磁屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种低噪声量子芯片电磁屏蔽结构，包括核心红外防辐射罩，核心红外防辐射罩为镀金无氧铜材质制成的圆桶状结构，核心红外防辐射罩包裹量子芯片封装盒，核心红外防辐射罩与量子芯片封装盒之间设置有用于进一步吸收红外辐射噪声的涂层；MC冷盘下方设置有MC红外防辐射罩，MC红外防辐射罩设置于核心红外防辐射罩的外侧，低温PT2层设置有低温磁屏蔽罩，低温磁屏蔽罩为μ‑metal磁屏蔽材质制成的内部中空，且一侧敞口的圆柱状结构，低温磁屏蔽罩设置于MC红外防辐射罩的外侧。本实用新型设置有核心红外防辐射罩、MC红外防辐射罩以及低温电磁屏蔽罩，每层防护罩具有不同的屏蔽功能，最大限度的消除噪声改善了量子比特所处的运行环境。
基本信息
专利标题 ：
一种低噪声量子芯片电磁屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122630730.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-30
授权号 ：
CN216488050U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
穆清刘晓楠费洋扬孟祥栋刘福东王卫龙韩鹏宇袁本政
申请人 ：
中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请人地址 ：
河南省郑州市高新区科学大道62号
代理机构 ：
郑州大通专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡姗姗
优先权 ：
CN202122630730.8
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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