n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
基本信息
专利标题 ：
n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122188502.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-10
授权号 ：
CN216251139U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
莫锦军张胜妃王宜颖于新华伍铁生王庆勇
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张学平
优先权 ：
CN202122188502.X
主分类号 ：
H01Q1/52
IPC分类号 ：
H01Q1/52 H01Q9/04 H01Q13/08 H01Q1/48 H01Q1/36
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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