一种高电流密度的IGBT功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种高电流密度的IGBT功率模块，包括底板、呈上下对称设置在所述底板上的上AMB基板和下AMB基板，所述上AMB基板和所述下AMB基板上均设置有MOSFET芯片和SBD二极管，所述MOSFET芯片和SBD二极管并排设置，上、下桥分别分布在所述上AMB基板和下AMB基板上，上、下桥之间通过键合线连接。与现有模块相比，本模块可并联更多的芯片来提升模块电流等级。传统布局中，正面铜层利用率低，无法并联更多的芯片，该模块采用上、下桥各布置在上AMB基板和下AMB基板上，高效的利用了AMB基板上的空余部分。
基本信息
专利标题 ：
一种高电流密度的IGBT功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122441551.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
CN216213451U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
袁磊王凯锋
申请人 ：
合肥中恒微半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道与明珠大道交叉口106号5号楼2层C区
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
殷娟
优先权 ：
CN202122441551.X
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/49 H02M1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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