MOSFET功率模块相电流引出结构

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摘要

本实用新型公开了MOSFET功率模块相电流引出结构，包括模块本体，模块本体的顶部外壁上开设有五个呈等距离结构分布的通孔，且通孔的内部插接有导电螺母柱，导电螺母柱的顶端开设有内螺纹孔，且内螺纹孔的内部螺纹连接有绝缘套，绝缘套的顶端焊接有绝缘柱。本实用新型导电螺母柱、金属螺杆，导电螺母柱及金属螺杆向模块的内外传递电流，其连接牢固、便于识别、拆卸方便，使用者不易出现接线错误，而且使用的绝缘件少，导电螺母柱底端螺纹连接在定位槽的内部，而定位板通过弹簧的作用滑动连接在滑槽的内部，使得接电槽与导电螺母柱贴合更加紧凑稳定，同时能够对电路板起到一定缓冲作用。

基本信息

专利标题：

MOSFET功率模块相电流引出结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021761214.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-21

授权号：

CN213026529U

授权日：

2021-04-20

发明人：

秦小雷

申请人：

上海安沛动力科技有限公司

申请人地址：

上海市闵行区东川路555号乙楼A2035室

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021761214.8

主分类号：

H01R4/30

IPC分类号：

H01R4/30 H01R4/38 H05K1/18