一种芯片的分段式顶出装置
授权
摘要
本实用新型适用于芯片顶出装置技术领域，包括底座和连接于所述底座的顶出平台，所述顶出平台设置有用于吸附芯片底膜的真空孔位，所述真空孔位连接有负压吸附装置；所述顶出平台或所述底座连接有在初始状态下不凸出所述顶出平台的分段式顶出机构，所述分段式顶出机构至少包括可相对独立升降且具有不同顶出行程的第一段顶出组件和第二段顶出组件。本实用新型所提供的一种超薄芯片的分段式顶出装置，芯片与顶出平台接触增加了接触面积，通过负压吸附装置向下吸附，使芯片与芯片DAF膜底膜易于分离，有效避免发生芯片在顶出中崩裂。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片的分段式顶出装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122508795.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
CN216213362U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
倪黄忠胡燕波
申请人 ：
深圳市时创意电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新桥街道新发东路7号一层至三层；在上南东路新丰泽工业区A区2号厂房设有经营场所
代理机构 ：
深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张红伟
优先权 ：
CN202122508795.5
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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