一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪
授权
摘要

本实用新型公开了一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪,属于半导体材料性能参数测试技术领域,包括基板、工作台和龙门框架,在龙门框架上设有升降气缸,在活塞杆的端部分别设有第一电磁测试探头和激光位移传感器;工作台设于基板上方,工作台的上表面中心位置处开设有凹槽,在凹槽内设有第二电磁测试探头;第一电磁测试探头位于第二电磁测试探头的正上方,第一电磁测试探头内设有主动线圈和上被动线圈,主动线圈位于上被动线圈的正下方,第二电磁测试探头内设有下被动线圈。本实用新型的电导率测试仪可自动判定待测样品为硅片或硅锭,并分别在不同的工作模式下进行电导率测试,测试功能多,同时测试精确度高,操作使用方便。

基本信息
专利标题 :
一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122580909.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-26
授权号 :
CN216525567U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
党小锋刘全义张月兰
申请人 :
九域半导体科技(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-B201-024单元
代理机构 :
苏州汇德卓越专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王佳鑫
优先权 :
CN202122580909.7
主分类号 :
G01N27/04
IPC分类号 :
G01N27/04  G01B11/06  G01R27/02  G01R1/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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