一种红光VCSEL芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种红光VCSEL芯片，涉及激光芯片技术领域。本实用新型的一种红光VCSEL芯片，包括包括衬底，缓冲层、底部反射层、有源层、氧化限制层、顶部反射层和钝化层；所述底部反射层包括第一BOTTOM DBR层和第二BOTTOM DBR层，所述第一BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第一复合层，第二BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第二复合层，所述顶部反射层包括第一TOP DBR层和第二TOP DBR层，所述第一TOP DBR层包括重叠生长的多对第三复合层，第二TOP DBR层包括重叠生长的多对第四复合层。本实用新型公开了一种红光VCSEL芯片，利用复合DBR层，仅使用较少DBR的周期数就可获得高的反射率，从而降低因DBR材料晶格不匹配形成的应力和禁带差异引起的电阻，进而提升红光VCSEL的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种红光VCSEL芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122630106.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216699077U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张新勇刘浩飞苑汇帛杨绍林郑鑫张彬宋世金
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄宗波
优先权 ：
CN202122630106.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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