红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板。因为有源层中自靠近N型半导体层的一端到靠近P型半导体层的一端，各阱层的厚度逐渐增大，这样可以使得电子在有源层中快速移动的路径逐渐变长，从而使得自N型半导体层侧注入的电子穿越有源层的时间变长，给从P型半导体层注入的空穴提供的更多的移动时间，提升了电子在有源层中迁移时遭遇空穴的几率，也即提升了电子与空穴复合的概率，增加了红光外延层的内量子效率；同时，也避免了未在有源层中与空穴复合的电子进入到P型半导体层后与空穴复合，辐射出不被期望的波段的光的问题，提升了基于该红光外延层所制得的红光LED芯片的出光效果。
基本信息
专利标题 ：
红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497297A
申请号 ：
CN202111569684.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谷鹏军
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202111569684.3
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/30
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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