Micro LED显示芯片及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了Micro LED显示芯片及其制备方法，属于Micro‑LED制造技术领域。Micro LED显示芯片包括基板；多个LED单元，位于基板上且通过触点单独驱动；钝化层，位于LED单元上，包括位于出光面上的第一钝化层以及位于侧面上的与第一钝化层连接的第二钝化层；反射层，仅形成于第二钝化层上。本发明制备方法包括提供基板，在基板上形成LED单元；在LED单元上形成钝化层；在钝化层上形成反射层；刻蚀保留LED单元侧面的反射层，露出LED单元出光面上的钝化层。本发明避免相邻像素点的光串扰，提高出光效率，采用干法刻蚀工艺在小尺寸像素点的侧面形成反射层，降低工艺难度和成本。
基本信息
专利标题 ：
Micro LED显示芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628563A
申请号 ：
CN202210512715.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄永漳
申请人 ：
镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄威
优先权 ：
CN202210512715.X
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L27/15 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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