微型LED芯片制备方法、微型LED芯片以及显示装置

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摘要

本公开提供了一种微型LED芯片制备方法、微型LED芯片及显示装置。该方法包括：提供微型LED外延片并在外延片上蚀刻台面结构；在台面结构上设置电极层，使得在电极层的第一预设区域中形成孤岛结构，孤岛结构包括孤岛主体和连接部，孤岛主体与电极层隔开且通过连接部连接；在孤岛结构和电极层上设置钝化层，在钝化层的第二预设区域中形成接触孔，使得接触孔中的至少部分接触孔露出的部分包括孤岛主体的至少一部分且不包括与孤岛主体连接的电极层；在多个接触孔露出的部分上设置金属凸点。根据该方案，可在电极层中形成孤岛结构，在该孤岛结构上形成金属凸点可以减少凸点材料回流过程中向电极层的渗透，从而防止钝化层鼓起及凸点材料不成球。

基本信息

专利标题：

微型LED芯片制备方法、微型LED芯片以及显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113990992A

申请号：

CN202111614541.X

公开（公告）日：

2022-01-28

申请日：

2021-12-28

授权号：

CN113990992B

授权日：

2022-04-15

发明人：

刘召军黄青青张珂

申请人：

深圳市思坦科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309

代理机构：

北京慧加伦知识产权代理有限公司

代理人：

李强

优先权：

CN202111614541.X

主分类号：

H01L33/38

IPC分类号：

H01L33/38 H01L33/00