晶圆吸附装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆吸附装置，包括：装置本体，所述装置本体开设有气孔，所述装置本体内部开设有与所述气孔连通的气体流通单元，所述装置本体上远离所述气孔的第一端开设有中心位于同一圆周上的第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔，所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的半径介于30mm‑40mm之间；所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔周围均设置有吸盘，所述吸盘的延伸方向与所述第一吸附孔、第二吸附孔和第三吸附孔中心所在圆的圆周重合。本实用新型可以对4寸、5寸、6寸和8寸晶圆进行吸附，消除由于减小各个吸附孔带来的吸附效果不佳的问题，使得晶圆吸附装置可以运用到对小尺寸晶圆进行移动的设备上，使得适用性提高。
基本信息
专利标题 ：
晶圆吸附装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122735622.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
CN216288362U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
吴国明王彭
申请人 ：
泓浒(苏州)半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区元和万里路88号4号楼1楼104室
代理机构 ：
苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金京
优先权 ：
CN202122735622.7
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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