一种窄能谱离子束产生装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种窄能谱离子束产生装置。该窄能谱离子束产生装置由支架、离子源以及选能器组成，所述离子源可调整竖直方向角度地架设于支架上，在支架上部固定设置有选能器，所述选能器由电磁屏蔽罩和内部固定设置的选能组件构成，所述选能组件由两块永磁铁阵列、矩形磁靴、一对永磁隔绝板和电极组件组成。本窄能谱离子束产生装置由离子源产生宽能谱离子，离子束经选能器进行离子能量选择并最终输出，达到本装置输出的离子能量为0‑500eV可调；最小能带宽在50eV以内。
基本信息
专利标题 ：
一种窄能谱离子束产生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122914304.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216435831U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
苏俊宏李建超杨利红徐均琪万文博时凯
申请人 ：
西安工业大学
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区学府中路2号
代理机构 ：
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李凤鸣
优先权 ：
CN202122914304.7
主分类号 ：
H01J27/02
IPC分类号 ：
H01J27/02 C23C14/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J27/00
离子束管
H01J27/02
离子源；离子枪
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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