一种能输出单一离子能量的离子束发射源
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型涉及一种能输出单一离子能量的离子束发射源,以克服现有技术存在的引出离子并非具有单一能量,对薄膜质量影响较大,难以实现离子束辅助的重复性的问题。其技术方案是:包括气体放电室、聚焦磁场产生单元、离子能量选择器和扩束磁场产生单元,气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板,所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板、下磁极板以及相对设置的第一电极板和第二电极板构成的选择筒,上磁极板、第一电极板、下磁极板和第二电极板之间夹设有极板绝缘件,选择筒两端的入口盖板和出口盖板中部均设置有能带限制通孔。与现有技术相比,本实用新型的优点是:1.能够产生、引出单一能量的离子;2.离子能量可调;3.制造工艺简单。

基本信息
专利标题 :
一种能输出单一离子能量的离子束发射源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820029301.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-06-03
授权号 :
CN201217686Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
徐均琪杭凌侠弥谦苏俊宏朱昌严一心
申请人 :
西安工业大学
申请人地址 :
710032陕西省西安市金花北路4号
代理机构 :
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 :
黄秦芳
优先权 :
CN200820029301.7
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24  H01L21/3065  C23F4/00  H01J37/08  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2010-02-24 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20080603
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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