改善等离子体诱发损伤的图像传感器
授权
摘要
本实用新型提供的改善等离子体诱发损伤的图像传感器中，衬底包括像素区和测试器件形成区，像素区的衬底背面一侧形成有背面接地结构，测试器件形成区形成有测试器件；互连层形成于衬底的正面一侧，互连层的互连结构与测试器件的栅极结构电连接；金属焊盘凹槽位于像素区和测试器件形成区之间且贯穿衬底，金属焊盘凹槽底部的互连层中形成有导通孔；金属焊盘的一部分位于金属焊盘凹槽内且填满导通孔以与互连结构电连接，且金属焊盘的另一部分跨越至像素区并与背面接地结构电连接。如此，等离子体刻蚀形成金属焊盘而产生的电荷能够通过背面接地结构释放，可以改善甚至消除等离子体诱发损伤对测试器件的影响。
基本信息
专利标题 ：
改善等离子体诱发损伤的图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123144016.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216435907U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
饶金华肖海波李全宝施喆天戴辛志
申请人 ：
豪威科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区上科路88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
尤彩红
优先权 ：
CN202123144016.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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