存储装置的编程方法、存储装置及存储系统
公开
摘要
本申请实施例公开了一种存储装置的编程方法、存储装置及存储系统，所述存储装置包括多个平面；所述方法包括：使用以第一步增量增加的编程电压，对所述多个平面中的至少两个平面进行编程；对所述至少两个平面进行验证，确定所述至少两个平面中存在验证异常的平面时，禁用验证异常的平面；在所述至少两个平面中存在平面被禁用时，使用以第二步增量增加的编程电压，对未被禁用的所述平面进行编程；其中，所述第二步增量小于所述第一步增量。
基本信息
专利标题 ：
存储装置的编程方法、存储装置及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631148A
申请号 ：
CN202180006000.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜柯梅笑冬郭晓江
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
邵磊
优先权 ：
CN202180006000.0
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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