本申请提供了一种存储器及其编程操作方法、外围电路、及存储系统。所述存储器沿预设方向依序包括串联连接的阵列共源极、底部层级、中部层级、顶部层级以及位线，所述存储器的编程操作方法包括：进行编程操作的预充电，包括：向所述阵列共源极和所述位线提供第一电压；以及向所述存储器中的已编程态存储单元提供第二电压，以使所述已编程态存储单元中的沟道导通，其中，所述已编程态存储单元位于所述中部层级和所述顶部层级中的至少之一；以及对所述中部层级中的中部待编程存储单元进行编程操作。