一种基于多孔氧化铝的一维拓扑光子晶体的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于多孔氧化铝的一维拓扑光子晶体的制备方法，通过周期性变化的阳极氧化电压制备出一组层状对称的光子晶体结构，实现了一维光子晶体拓扑态的激发。通过改变阳极氧化电压的参数来实现在一定范围内对样品透射峰的位置进行调控。本发明避免大量使用毒性试剂、调控步骤复杂及调控所需时间过长等一系列缺点，绿色高效地实现氧化铝一维光子晶体拓扑态的激发。
基本信息
专利标题 ：
一种基于多孔氧化铝的一维拓扑光子晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293237A
申请号 ：
CN202210002055.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张俊喜王心宇张维胡志家牛力捷王晨程锐方峥
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 ：
安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴玉静
优先权 ：
CN202210002055.0
主分类号 ：
C25D11/12
IPC分类号 ：
C25D11/12 C25D11/10 C30B29/20 C30B30/02 C25D11/16 G02B1/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D11/00
表面反应，即形成转化层的电解覆层
C25D11/02
阳极氧化
C25D11/04
铝或以其为基之合金的
C25D11/12
一次以上的阳极氧化，例如在不同的槽液中
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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