铜制电子材料镀锡镀液以及制备方法、应用方法
公开
摘要
本发明公开了铜制电子材料镀锡镀液以及制备方法、应用方法，铜制电子材料镀锡镀液，其添加剂的配方包括：以主盐：浓度为10～13g/L的甲磺酸亚锡；防水解剂：96ml～112ml/L的甲基磺酸；络合剂：浓度为75g/L或80g/L的硫脲；锡须抑制剂：0.8～1.2g/L的甲基磺酸银；抗氧化剂：浓度为3～5g/L的乙二胺四乙酸；辅助光亮剂：0.2～0.3g/L的苯甲醛；还原剂：以次亚磷酸和次亚磷酸钠中的至少一种，浓度均为50ml～82ml/L；所述镀液中还添加有明胶，浓度为0.2～1.0g/L；络合物增溶剂：浓度为50‑500g/L的聚醇类；结晶细化剂：浓度为0.1‑10g/L的聚氧烯醚或者氨基酸型溶液。
基本信息
专利标题 ：
铜制电子材料镀锡镀液以及制备方法、应用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574840A
申请号 ：
CN202210020897.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴旭明蔡良胜陈阳蔡绪开
申请人 ：
深圳市虹喜科技发展有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙岗街道龙西社区劲光物业A栋6楼
代理机构 ：
深圳科润知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘强强
优先权 ：
CN202210020897.9
主分类号 ：
C23C18/52
IPC分类号 ：
C23C18/52 C23C18/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/16
还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18/52
使用还原剂镀不包含在C23C18/32至C23C18/50各组任何单独一个大组中的金属材料
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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