本发明公开了一种窄线宽输出的片上集成式DBR激光器及其制备方法。包括光子集成芯片基底、分布布拉格反射激光器和半导体光放大器；分布布拉格反射激光器和半导体光放大器均集成于光子集成芯片基底上方；光子集成芯片基底一方面可以采用III‑V族化合物半导体材料，另一方面可以采用硅光半导体材料，硅光半导体材料的指定区域上方需要是III‑V族化合物半导体材料；分布布拉格反射激光器包括后反射区、增益区、相位区、光波导和前反射区，其用于产生窄线宽激光信号；半导体光放大器与前反射区连接，用于激光信号的放大与出射。本发明结构简单，可集成于光子芯片上，能大大减小现有技术中窄线宽激光器的体积，利于其小型集成化、批量化生产；同时该分布布拉格反射激光器输出激光线宽较窄、功率较高，可满足下一代高速光通信系统的需求。