阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置
实质审查的生效
摘要
本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置。所述栅极断线修复方法包括以下步骤：形成第一金属层，并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀，形成栅极电路，检测栅极断线点位；形成第二金属层、对所述第二金属层进行曝光，对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复和刻蚀，形成源漏电路；对形成的阵列基板进行断线修补。本公开实施例的技术方案针对外围双层金属配线，通过前置源漏电路光刻胶修复，使得光刻胶修复后刻蚀源漏电路金属层的方式将在双层金属区修复配线转变为在单层金属区修复配线，从而提升外围双层配线区栅极断线修补的成功率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420709A
申请号 ：
CN202210050250.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱涛赵一静陈红利杨曦杨宇丹蒋雷
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
吕艳英
优先权 ：
CN202210050250.0
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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