一种二维原子层材料应变场控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法,包括以下步骤:步骤1:在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜;步骤2:把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面;步骤3:令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层,从而获得二氧化硅纳米鼓包,同时对二维原子层材料施加局域应变;步骤4:通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场,从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效,绿色环保,在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 :
一种二维原子层材料应变场控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497238A
申请号 :
CN202210050305.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王雷
申请人 :
青岛科技大学
申请人地址 :
山东省青岛市崂山区松岭路99号
代理机构 :
北京云嘉湃富知识产权代理有限公司
代理人 :
阮文
优先权 :
CN202210050305.8
主分类号 :
H01L31/0216
IPC分类号 :
H01L31/0216 H01L31/028 H01L31/032 H01L31/18 B82Y15/00 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载