本发明涉及单晶硅加工领域，具体公开了一种单晶硅材料的深、微孔加工方法，包括如下步骤：步骤1：将孔加工分为五次切削，根据孔深L值计算单次有效切削深度Q值，Q值与L值的如下所示：Q₁＝(36％～40％)L，Q₂＝(26％～30％)L，Q₃＝(15％～18％)L，Q₄＝(10％～12％)L，Q₅＝(6％～8％)L；步骤2：计算单次切削时长H，H＝Q/F，式中F为切削进给速度；步骤3：计算单次切削时超声震动发生器的超声频率M；其中M₁为初始频率，M₂＝(70％～50％)M₁，M₃＝(50％～40％)M₁，M₄＝(40％～30％)M₁，M₃₅＝(20％～10％)M₁；步骤4：计算钻头进给距离，进给距离包括快速进给与有效进给；快速进给为钻头切削前与切削后的进给距离，有效进给包括有效切削前的高度余量D以及有效切削深度Q；D＝20％Q；步骤5：依据上述数据进行加工；本发明意在解决单晶硅采用机械打孔加工效率低，加工孔壁质量和孔垂直度较差的问题。