一种TR组件的电磁屏蔽结构
实质审查的生效
摘要
本发明涉及TR组件电磁屏蔽技术领域，公开了一种TR组件的电磁屏蔽结构，包括从下至上依次设置的母板、射频接地层、介质固定帽，所述介质固定帽上开有一个或多个固定腔，所述固定腔内设有多通道数模混合幅相芯片和/或多通道收发芯片，所述固定腔用以固定多通道数模混合幅相芯片和/或多通道收发芯片，所述射频接地层上方电连接有射频信号连接端子。本发明解决了现有技术存在的不能同时兼顾通道间电磁屏蔽、可实现、结构紧凑、低成本等应用需求的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种TR组件的电磁屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496996A
申请号 ：
CN202210068841.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱贵德熊文毅任思罗鑫罗里陈祥楼陈帅
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十研究所
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区茶店子东街48号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙元伟
优先权 ：
CN202210068841.0
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/66 H01L25/18 H01Q21/00 H01Q23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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